%0 Journal Article
%T Visible Terraced Substrate Inner Stripe Semiconductor Lasers<br>可见光阶梯衬底内条形半导体激光器
%A Du Goutong/
%A <br>杜国同
%A 张晓波
%A 赵方海
%A 邹峥
%A 高鼎三
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 将所设计的新结构半导体激光器──阶梯衬底内条形激光器推进到可见光波段(0.75—0.80μm)。器件直流阈值最低26mA,光功率线性15—20mW,2—4 I_(th)基模工作,4mW工作寿命已超过5000小时。本文还讨论分析了该结构器件可靠性改善的原因。
%K Visible
%K Terraced substrate
%K lnner stripe
%K Semiconductor laser<br>半导体激光器
%K 可见光
%K 阶梯衬底
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=914C6FAEA8AE1F79&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=E158A972A605785F&sid=A2745AA1110798CA&eid=0C3F9E980968AF79&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=4