%0 Journal Article
%T 4H-SiC n~+pp~+ Structure Passivated with SIPOS-SiO_2 Compound Layer<br>用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析
%A JIANG Yan
%A |feng
%A LI Si
%A |yuan
%A LIU Su
%A CAO Lei
%A BO Jian
%A |jun
%A <br>姜岩峰
%A 李思渊
%A 刘肃
%A 曹磊
%A 薄建军
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低
%K SiC
%K passivation layer<br>SiC
%K 钝化层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=715E72C053AEB162&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=710C005323C0774A&eid=DC2727B6AC017B3F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0