%0 Journal Article
%T UHV/CVD n--Type Silicon Epitaxy Used for SiGe HBT Device<br>用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究
%A Huang Wentao
%A Chen Changchun
%A Li Xiyou
%A Shen Guanhao
%A Zhang Wei
%A Liu Zhihong
%A Chen Peiyi
%A Tsien Pei-Hsin
%A <br>黄文韬
%A 陈长春
%A 李希有
%A 沈冠豪
%A 张伟
%A 刘志弘
%A 陈培毅
%A 钱佩信
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 利用超高真空化学气相淀积(UHV/CVD)设备,在掺Asn+型Si衬底上生长了掺Pn-型Si外延层.用扩展电阻法分析了在不同的生长温度和PH3气体流量下生长的Si外延层的过渡区厚度.结果表明,生长温度对n+-Si衬底的As外扩有明显影响,在700℃下生长的Si外延层的过渡区厚度为0.16μm,而在500℃下仅为0.06μm,且杂质分布非常陡峭.X射线双晶衍射分析表明在700℃下生长的Si外延层的质量很高.制作的锗硅异质结晶体管(SiGeHBT)的击穿特性很硬,击穿电压为14.5V,在VCB=14.0V下的漏电流仅为0.3μA;输出特性很好,在VCE=5V,IC=3mA时的放大倍数为60
%K UHV/CVD
%K Si epitaxy
%K dopant profile
%K SiGe
%K HBT<br>UHV/CVD
%K 硅外延
%K 杂质分布
%K SiGe
%K HBT
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8E20D1D37DF80032&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=9E8E868F1632249A&eid=C8223A846BBA5EA7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=12