%0 Journal Article
%T Study on GaAs∶Gd Prepared by Low Energy Ion Beam Deposit<br>低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究
%A Song Shulin
%A Chen Nuofu
%A Zhou Jianping
%A Yin Zhigang
%A Li Yanli
%A Yang Shaoyan
%A Liu Zhikai
%A <br>宋书林
%A 陈诺夫
%A 周剑平
%A 尹志岗
%A 李艳丽
%A 杨少延
%A 刘志凯
%J 半导体学报
%D 2004
%I 
%X 对室温条件下用低能离子束沉积得到的GaAs∶Gd样品,借助X射线衍射(XRD)和高分辨X射线衍射(HR-XRD)进行了结构分析,结果表明没有出现新的衍射峰,并且摇摆曲线的形状与Gd的注入计量密切相关.运用X光电子能谱仪对比分析了Gd注入后,衬底中主要元素Ga2p和As3d的化学位移,以及不同计量的样品中注入的Gd4d芯能级束缚能的变化,并分析了铁磁性产生的可能原因.
%K GaAs:Gd
%K X-ray diffraction
%K X-ray photoelectron spectra<br>GaAs∶Gd
%K X射线衍射
%K X光电子能谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6A482221D15C5A27&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=C5154311167311FE&iid=59906B3B2830C2C5&sid=B221F15A486F30C1&eid=00B387A522283F93&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12