%0 Journal Article
%T InGaAs/InAlAs多量子阱电吸收光调制器
%A 王健华
%A 金峰
%A 俞谦
%A 孙可
%A 李德杰
%A 蔡丽红
%A 黄绮
%A 周钧铭
%A 王玉田
%A 庄岩
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 用国产ＭＢＥ设备生长出与ＩｎＰ衬底晶格匹配的ＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ多量子阱材料，并对材料的量子限制Ｓｔａｒｋ效应及其与光偏振方向有关的各向异性电吸收特性进行研究．用该种材料制作的脊波导结构电吸收调制器在２．４Ｖ驱动电压下实现了２０ｄＢ以上消光比，光３ｄＢ带宽达３ＧＨｚ
%K 多量子阱
%K 电吸收光调制器
%K 半导体材料
%K 光纤通信
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D16A9DF8FD351206&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=BE33CC7147FEFCA4&eid=B6DA1AC076E37400&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1