%0 Journal Article
%T 脉冲激光沉积硅基二氧化硅薄膜的蓝光发射
%A 郑祥钦
%A 郭新立
%A 廖良生
%A 刘治国
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 用准分子激光在含氧气氛中对硅靶材料进行反应剥离，并让反应生成物沉积在单晶硅片表面上．用Ｘ射线光电子能谱、透射电镜分析，以及光致发光谱等方法对沉积的薄膜进行研究．结果显示，形成的薄膜是非晶态的二氧化硅组分，并且在其中含有少量的微米量级的多晶硅颗粒，在４４０ｎｍ附近的蓝光范围内有一光致发光带，初步认为它是由形成的二氧化硅中的氧空位缺陷引起的
%K 硅基
%K 二氧化硅
%K 薄膜
%K 脉冲激光沉积
%K 蓝光发射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=FCD3D332CA25C323&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=659D3B06EBF534A7&eid=B91E8C6D6FE990DB&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=5