%0 Journal Article
%T Fabrication of ZnTe<br>ZnTeCu薄膜的制备及其性能
%A ZHENG Jia-gui
%A <br>郑家贵
%A 张静全
%A 蔡伟
%A 黎兵
%A 蔡亚平
%A 冯良桓
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 用共蒸发法在室温下沉积了 Zn Te∶ Cu多晶薄膜 .刚沉积的不掺 Cu的薄膜呈立方相 ,适度掺 Cu时为立方相和六方相的混合相 .随着 Cu含量的增加 ,六方相增加 ,光能隙减小 .根据暗电导温度关系 ,结合 XRD和 DSC的结果 ,认为在 110℃、170℃开始出现类 Cu Te、类 Cu2 Te相以及 Cu0、Cu+离解的结果导致电导温度关系异常 ,应用这种薄膜作为背接触层获得了转换效率为 11.6 % ,面积为 0 .5 2 cm2 的 Cd S/Cd Te/Zn Te∶ Cu太阳电池
%K ZnTe∶Cu薄膜
%K 制备
%K 测试
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=33A2C0E9FFCA1145&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=0B39A22176CE99FB&sid=73579BC9CFB2D787&eid=5BC9492E1D772407&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=13&reference_num=10