%0 Journal Article
%T 高质量GaN材料的GSMBE生长
%A 王晓亮
%A 孙殿照
%A 孔梅影
%A 张剑平
%A 付荣辉
%A 朱世荣
%A 曾一平
%A 李晋闽
%A 林兰英
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在国内首次用NH3作氮源的GSMBE方法在α－Al2O3衬底上成功地生长出了高质量的GaN单晶外延膜．GaN外延膜的（0002）X射线双晶衍射峰回摆曲线的半高宽最窄为8’；背景电子浓度最低为2．7×1018cm－3，霍尔迁移率最好为91cm2／（V·s）；室温光致发光谱上只观察到一个强而锐的带边发光峰，谱峰位于363nm处，室温谱峰半高宽最窄为8nm（75meV）．
%K 氮化镓
%K GSMBE
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F408E9C7C5832D4E&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=073C3CF5F13F64FE&eid=502AE9EE93CAADD7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2