%0 Journal Article
%T 高性能实用化GaInP-AlGaInP半导体量子阱可见光激光器
%A 熊飞克
%A 郭良
%A 马骁宇
%A 王树堂
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用低压MOVPE方法研制出了波长为650nm与670nm的GaInP－AlGaInP半导体量子阱可见光激光器，并已形成一定批量生产能力，批量生产的670nm与650nm半导体量子阱可见光激光器的阈值电流典型值为35mA，额定输出光功率不小于5mw，标称工作温度不低于50℃，预计20℃时寿命接近100000小时，主要技术指标达到目前进口同类产品水平，完全可以满足实用要求。
%K 激光器
%K 半导体激光器
%K 量子阱
%K 可见光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9E73026EA4DEFEE70&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=D1D63D047E37A053&eid=389DA78D878702A9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=4&reference_num=0