%0 Journal Article
%T 匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/InP量子阱材料的GSMBE生长及特性分析
%A 王晓亮
%A 孙殿照
%A 孔梅影
%A 候洵
%A 曾一平
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且锐，每个阱的激子跃迁峰清晰可辨．当阱宽大于6nm时，阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好；当阱宽小于6nm时，实验值小于理论值；对阱宽相同的窄阱而言，我们样品的实验值高于Tsang的实验值，当阱宽小于4nm时，阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值，表明量子阱的界面具有原子级的平整度；与1nm阱相应的低温光致
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0239BCC3C1AC7B42B03DA0A6848888A4&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=238BD7580EFCC5AE&eid=C4F84428E295BDA4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0