%0 Journal Article
%T 定向局部异质外延生长的p型金刚石膜压阻效应的研究
%A 王万录
%A 张振刚
%A 廖克俊
%A 吴彬
%A 张世斌
%A 廖梅勇
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单晶硅的相应值，这是因为外延膜中缺陷态降低并且改进了测试方法，文中还简单讨论了金刚石膜压阻效应的起因．
%K 异质外延生长
%K 金刚石膜
%K 压阻效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=51BAF52E3443AEDB&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=B31275AF3241DB2D&sid=FE6B7E9BDCCDBAA6&eid=F18BA6286A889C1C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=6