%0 Journal Article
%T 分子束外延中的掺硼工艺
%A 杨小平
%A 蒋维栋
%A 樊永良
%A 盛篪
%A 俞鸣人
%A 李炳宗
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 我们在硅分子束外延中利用共蒸发B_2O_3的方法在硅中进行硼掺杂,掺杂浓度可控制在4×10~(17)cm~(-3)至4.2×10~(19)cm~(-3)之间,这说明不需要利用离子注入或高温掺杂炉,也可以在硅外延层中实现有效的P型硼掺杂.我们还对掺杂外延层的质量进行了初步分析:外延层剖面均匀、没有明显的偏析现象;当硅源速率在 2A/s时,外延层中氧含量与衬底相同.
%K 分子束外延
%K 掺硼
%K 工艺
%K 掺杂
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=195198C95E51016F&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=D33D61F62E4C72A7&eid=9107B2E171152411&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=0