%0 Journal Article
%T 光触发晶闸管光敏区结构的研究
%A 徐静平
%A 余岳辉
%A 陈涛
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文对光触发晶闸管的两种不同光敏区结构进行了比较分析,对其中颇具吸引力的结构——有一薄n_E层的槽状光敏区结构,从理论和实验上进行了较为详细的研究,着重分析了不同参数条件下,n_B层厚度与触发灵敏度的关系.通过建立理论模型和进行数值模拟,得到了一些新的结果,表明对于一定的p_P基区参数和n_E层浓度,存在一最佳nE层厚度,在此厚度下,触发功率最小;而且采用此光敏区结构能得到触发灵敏度与dv/dt容量之间的较好折衷,?计算结果和实验吻合较好.
%K 晶闸管
%K 光触发
%K 光敏区
%K 结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5897D669D0ED3B8C&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=2C20277AC27E4821&eid=6837BC93241057EF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1