%0 Journal Article
%T nμc-Si:H/SiO_x/Ag隧道背面接触对a-Si:H太阳能电池性能的影响
%A 李海峰
%A 熊华
%A 刁宏伟
%A 郑怀德
%A 廖显伯
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文研究了用 nμc-Si:H/SiO_x/Ag结构取代 nμc-Si:H/Ag结构对 a-Si:H pin型单结太阳能电池光伏参数的影响,观测到这种电池的填充因子和短路电流有所改善,文中对这些参数改善的机制作出了解释.
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4A5F945FBF71CB3D&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=708DD6B15D2464E8&sid=703F3C1B6594BA64&eid=C3BC38F6CC09E835&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0