%0 Journal Article
%T 硅线性升温快速热处理氧化动力学模型
%A 汤庭鳌
%A C.A.Paz de Araujo
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文采用玻尔兹曼-曼特诺变换方法,得到了一个新的描述硅快速热氧化生长动力学的解析模型.在靠近硅与二氧化硅界面处产生一个富氧区.在非稳态情况下,直接从氧扩散方程得到了增强因子.在温度为1050—1200℃范围内,本解析模型在计算快速热氧化(RTO)生长的氧化层厚度方面与测量结果基本一致.
%K 硅
%K 氧化
%K 动力学
%K 热处理
%K 模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=36DAFB868096791D&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=708DD6B15D2464E8&sid=1C3BB0F444F5E427&eid=B7DE0F3CA34DA149&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1