%0 Journal Article
%T GaInP材料生长及其性质研究
%A 董建荣
%A 刘祥林
%A 陆大成
%A 汪度
%A 王晓晖
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用Ｘ光双晶衍射、Ｈａｌｌ和光致发光研究了ＭＯＣＶＤ生长的ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．４７６～０．５０５）外延层．发现Ｇａ组分随Ｖ／Ⅲ比的增大略有下降，认为是由于Ｇａ－Ｐ键比Ｉｎ－Ｐ键强所造成的．７７Ｋ下电子迁移率达３３００ｃｍ２／（Ｖ·ｓ）．Ｇａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ的载流子浓度随生长温度升高、Ｖ／Ⅲ比的增大而降低，提出磷（Ｐ）空位（Ｖｐ）是自由载流子的一个重要来源．１７Ｋ下ＰＬ峰能和计算的带隙最大相差１１３ｍｅＶ，这可能与ＧａＩｎＰ中杂质或缺陷以及其中存在有序结构有关．
%K GaInP
%K MOCVD生长
%K 外延层
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3680DD7CEA22D5C3&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=0B39A22176CE99FB&sid=7E8E8B150580E4AB&eid=08805F9252973BA4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2