%0 Journal Article
%T GaAs MESFET中肖特基势垒接触退化机理的研究
%A 李志国
%A 赵瑞东
%A 孙英华
%A 吉元
%A 程尧海
%A 郭伟玲
%A 王重
%A 李学信
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文对Ｔｉ／Ｍｏ／Ｔｉ／Ａｕ作为栅金属的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ进行了四种不同的应力试验：１．高温反偏（ＨＴＲＢ）；２．高压反偏（ＨＲＢ）；３．高温正向大电流（ＨＦＧＣ）；４．高温存贮（ＨＴＳ）．通过ＨＲＢ，ΦＢ从０．６４ｅＶ减少到０．６２ｅＶ，理想因子ｎ略有增大．ＨＴＳ试验中ΦＢ从０．６７ｅＶ增加到０．６９ｅＶ．分析表明，这归因于界面氧化层的消失，以及Ｔｉ与ＧａＡｓ的反应；ＨＦＧＣ试验结果表明其主要的失效模式为烧毁，ＳＥＭ观察中有电徙动及断栅现象发生．ＡＥＳ分析表明。应力试验后的样品，肖特基势垒接触界面模糊
%K MESFET
%K 砷化镓
%K 肖特基势垒
%K 退化
%K 场效应晶体管
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073F184404E39C5F846&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=8BD23BD67BF01A5C&eid=09ABD5535D9B6D45&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1