%0 Journal Article
%T 注F CC4007电路的电离辐射效应
%A 张国强
%A 严荣良
%A 罗来会
%A 余学峰
%A 任迪远
%A 赵元富
%A 胡浴红
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 本文分析研究了用注Ｆ工艺制作的ＣＣ４００７电路Ｃｏ６０γ辐照响应结果．实验表明、把适量的Ｆ引入栅介质，能明显减少辐射感生氧化物电荷积累和界面态的增长，从而引起较小的阈电压漂移和Ｎ沟静态漏电流的增长．器件导电类型和辐照栅偏压不改变注Ｆ栅介质的抗辐照特性．注Ｆ栅介质辐照敏感性的降低可归结为Ｆ能减小Ｓｉ／ＳｉＯ２界面应力、并部分替换在辐照场中易成为电荷陷阱的应力键和弱健等的缘故．
%K 注氟
%K CC4007电路
%K 电离辐射效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073D6FBE3D31D55721A&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=6209D9E8050195F5&eid=1371F55DA51B6E64&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=5&reference_num=6