%0 Journal Article
%T 导纳谱研究锗硅单量子阱的退火效应
%A 柯炼
%A 林峰
%A 张胜坤
%A 谌达宇
%A 陆昉
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1998
%I 
%X 利用导纳谱研究了锗硅单量子阱的热稳定性．导纳谱热发射模型的理论模拟和深能级缺陷研究表明：在９００℃以下退火１０分钟，晶格弛豫并不明显，但原子的互扩散引起量子阱中子能级严重降低．同时，我们计算出了原子的互扩散系数，以及单量子阱Ｓｉ／Ｓｉ０．７５Ｇｅ０．２５／Ｓｉ中原子互扩散的热激活能１．０８ｅＶ．
%K 锗
%K 硅
%K 单量子阱
%K 退火效应
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F10EF2D444E91E95&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=2A8D03AD8076A2E3&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=5C3443B19473A746&eid=E3691231514F8E11&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3