%0 Journal Article
%T GaAs／AlGaAs多量子阱二维面阵红外探测器
%A 李晋闽
%A 郑海群
%A 曾一平
%A 孔梅影
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文报道１０×１６元二维面阵ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱红外探测器的研究进展．通过表面光栅耦合，采用垂直入射的工作模式，在Ｔ＝８０Ｋ时探测率为２．９e１０ｃｍ·Ｈｚ（１／２）／Ｗ，电压响应率为１．３e４Ｖ／Ｗ．各测试单元间探测率和电压响应率的偏差小于１８％，串音小于０．４５％，在最大探测率偏置条件下，器件的暗电流密度为６．２e－）Ａ／ｃｍ２．
%K 红外探测器
%K 量子阱
%K 砷化镓
%K 砷化镓铝
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=D90099BEAD0AFA5C&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=B6DA1AC076E37400&eid=987EDA49D8A7A635&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=1