%0 Journal Article
%T 用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构
%A 郝平海
%A 侯晓远
%A 丁训民
%A 贺仲卿
%A 蔡卫中
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1995
%I 
%X 本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列．
%K 多孔硅
%K 电子结构
%K 电子能量损失谱
%K 紫外光电子谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=7AC4D1B53034990C&yid=BBCD5003575B2B5F&vid=7801E6FC5AE9020C&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=FC0714F8D2EB605D&eid=13553B2D12F347E8&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3