%0 Journal Article
%T CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究
%A 苏毅
%A 谭淞生
%A 王渭源
%J 半导体学报
%D 1993
%I 
%X 本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=1867E1C563054A84CA9DC31BF08871F0&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=F3583C8E78166B9E&iid=B31275AF3241DB2D&sid=315A3D008C6ECFC8&eid=A7AE820C12CC9AD3&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0