%0 Journal Article
%T Measurement of Junction Temperature Inhomogeneity of Bipolar Transistors by ΔVbe Method<br>用ΔV_(be)法对双极晶体管结温不均匀性的测量
%A YANG Zhi
%A |wei
%A MIAO Qing
%A |hai
%A ZHANG De
%A |jun
%A ZHANG Xing
%A |hua
%A YANG Lie
%A |yong
%A <br>杨志伟
%A 苗庆海
%A 张德骏
%A 张兴华
%A 杨列勇
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 考虑到结温分布不均匀的情况 ,对用 ΔVbe法测量双极型晶体管的结温进行了研究 .当结温分布均匀时 ,测得的结温与测试电流无关 ;当结温分布不均匀时 ,小测试电流测得的结温高 ,大测试电流测得的结温低 ,测得结温随测试电流的变化范围随结温分布不均匀度的增加而增大 .这一现象可用来判别双极晶体管结温分布的不均匀性 .
%K bipolar transistor
%K junction temperature
%K measurement<br>双极晶体管
%K 结温
%K 测量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9EDAB1063FA0292E&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=5CC11A326E54A79A&eid=D7513DBF373F2B6C&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=10