%0 Journal Article
%T Large-Area Surface Treatment of Monocrystalline Silicon by ECR Plasmas at Low Temperature<br>ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理
%A SUN Jian
%A WU Jia
%A |da
%A ZHONG Xiao
%A |xia
%A LAI Bing
%A DING Xun
%A |min
%A LI Fu
%A |ming
%A <br>孙剑
%A 吴嘉达
%A 钟晓霞
%A 来冰
%A 丁训民
%A 李富铭
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .
%K Silicon
%K surface treatment
%K ECR plasmas<br>硅
%K 表面处理
%K ECR等离子体
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=BA298125185885C4&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=CBC69BEA05C12902&eid=A40901B6135B333E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=11