%0 Journal Article
%T Ce-Si多层膜中铈硅化物的形成
%A 何杰
%A 许振嘉
%A 钱家骏
%A 王玉田
%A 王佑祥
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 超高真空条件下,在Si(100)衬底上相间蒸镀稀土金属铈(200埃)和硅(200埃)薄膜,形成多层膜结构,并对其进行恒温炉退火和红外快速退火处理。然后利用AES、RBS、XRD和TEM等分析技术对所得各样品进行分析,发现Ce-Si多层膜在150℃的低温下经2小时退火即可发生反应,形成混合层。随着退火温度从150℃上升,CeSi_2逐步形成,并在300—400℃之间完全反应。经RBS确定的化学配比为CeSi_(～1.73)。在150—400℃ CeSi,的形成过程中,选区衍射分析发现,在低温时薄膜中有些区域就存在小晶粒,但直到900℃10秒退火后,薄膜也只是多晶,而并未发现单晶外延迹象。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=0F7B4F3C42C328CB3F5D104BD19F1934&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=7C8C2BAFC9BA0571&eid=BFB3B49B74E638B4&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0