%0 Journal Article
%T 键合Si／SiO_2／Si结构的C－V特征
%A 黄庆安
%A 陈军宁
%A 张会珍
%A 童勤义
%J 半导体学报
%D 1994
%I 
%X 本文研究了理想Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ结构的电容－电压（Ｃ－Ｖ）特征，提出了根据Ｓｉ／ＳｉＯ２／Ｓｉ的Ｃ－Ｖ特征测量ＳｉＯ２厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法，并对键合样品进行了实验．
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6AA5DBB480A55684&yid=3EBE383EEA0A6494&vid=23CCDDCD68FFCC2F&iid=94C357A881DFC066&sid=0954045FA0C6885F&eid=5DCBAAB000A70168&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0