%0 Journal Article
%T Persistent Photo-Conductivity in Ga δ-Doped ZnSe Superlattices<br>Gaδ掺杂ZnSe超晶格的稳恒光电导效应
%A HU Gu
%A |jin
%A ZHANG Lei
%A DAI Ning
%A CHEN Liang
%A |yao
%A <br>胡古今
%A 张雷
%A 戴宁
%A 陈良尧
%J 半导体学报
%D 2000
%I 
%X 通过直接测量激光照射前后电阻随温度的变化关系，研究了Ｇａδ掺杂ＺｎＳｅ超晶格的稳恒光电导效应．被研究的两块样品都显示了稳恒光电导效应，其中一块样品稳恒光电导的淬灭温度为１２０Ｋ，另一块样品的淬灭温度接近２９０Ｋ．描述了对这类超晶格稳恒光电导现象的测量结果，讨论了掺杂过程对光电导淬灭温度的影响．
%K Photo\|Conductivity
%K Superlattices
%K ZnSe<br>光电导
%K 超晶格
%K ZnSe
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=53838E597E35A5A5&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=659D3B06EBF534A7&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=987EDA49D8A7A635&eid=E514EE58E0E50ECF&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6