%0 Journal Article
%T GaAs(001)衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究
%A 孙小玲
%A 杨辉
%A 李国华
%A 郑联喜
%A 李建斌
%A 王玉田
%A 王占国
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文报道了利用MOCVD方法,在GaAs衬底(001)面制备的立方GaN薄膜的光学性质.利用光致发光(PL)光谱的半高宽确定制备的样品具有不同的晶体质量.利用喇曼散射(RS)光谱研究了立方GaN薄膜中的光学声子模式.横向(TO)和纵向(LO)声子在立方GaN中的散射峰分别位于552cm-1和739cm-1.另外还观察到来自界面无序层的TOB和LOB.根据喇曼频移和选择定则可识别GaN中的相组成.其来自六方相GaN的E2声子模,可作为识别立方GaN中六方相的标志.随着退火温度的升高,样品中的界面层的效应减弱,六方相增加
%K 砷化镓
%K MOCVD法
%K 氮化镓
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=C4356AEEEEBB7D22&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=38B194292C032A66&sid=4966445AEEBA9556&eid=D6354F61445E9456&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=8