%0 Journal Article
%T MBE生长高光功率转换效率InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器
%A 徐遵图
%A 杨国文
%A 徐俊英
%A 张敬明
%A 沈光地
%A 高国
%A 廉鹏
%A 陈良惠
%J 半导体学报
%D 1999
%I 
%X 本文从理论上分析了实现InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器高光功率转换效率、高输出功率的有效途径,并优化了器件结构,可以同时获得低的腔面光功率密度和小的垂直于结平面远场发散角.利用分子束外延生长构成了高质量InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,其最高光功率转换效率为53%、最大输出功率为3.7W,垂直于结平面方向远场发散角为30°
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=6A4E54E90331A35F&yid=B914830F5B1D1078&vid=A04140E723CB732E&iid=38B194292C032A66&sid=5D9D6A8FC2C66FD8&eid=FCD27DC5E1F2EEE7&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0