%0 Journal Article
%T 碲镉汞表面氧化特性的光电子能谱研究
%A 李毅
%A 何嵩
%A 易新建
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 利用X射线光电子谱（XPS）对HeCdTe表面氧化特性进行了研究，对不同工艺过程中的HeCdTe表面进行了测量、分析，结果表明流镉汞表面的自身氧化与工艺密切相关，说明HgCdTe表面钝化前的预处理直接影响钝化层／HgCdTe的界面特性．
%K 碲镉汞
%K 红外探测器
%K 光电子能谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=099FCBBF028FA5A7&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=59906B3B2830C2C5&sid=68BCD01D0D745EB3&eid=3DC9CEF02B8360EE&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=1