%0 Journal Article
%T (113)B-GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As单量子阱结构的光致发光谱研究
%A 陈定钦
%A 邢益荣
%A 李国华
%A 朱勤生
%A 曹作萍
%A 张广泽
%A 肖君
%A 吴汲安
%A 钟战天
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 光致发光（PL）实验表明；与（001）衬底比较，（113）B－GaAs／Al0.3Ga0.7As单量子阱结构（SQW’s）具有增强的光跃迁几率，它被归因于（113）B－GaAs阱中较大的重空穴有效质量mhh结果给出：这个数值比以前所报道的都高．
%K 超晶格
%K 量子阱
%K 光致发光谱
%K 结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=E3102F847C8932C9326CE27694A92567&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=AB1DE136C335A86C&eid=9EB9AF946ABE60ED&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=3