%0 Journal Article
%T 计入多晶硅耗尽效应的深亚微米MOSFET开启电压模型
%A 张文良
%A 杨之廉
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文提出了一个深亚微米MOSFET的开启电压的解析模型．它计入了影响开启电压的诸多二级效应，例如短沟效应、窄沟效应、漏感应势垒下降（DIBL）效应以及衬底的非均匀掺杂等效应．此外，模型还考虑了极短沟长器件的多晶硅耗尽效应．模型的计算结果和数值器件模拟的结果十分相符．
%K MOS器件
%K 开启电压
%K MOSFET
%K 涂亚微米
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=302E70092261D731&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=A766A50385B9FB1F&eid=750AE535ABE3D62A&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=2&reference_num=2