%0 Journal Article
%T 退火气氛对SIMOX材料Si／SiO_2界面特性的影响
%A 李映雪
%A 奚雪梅
%A 王兆江
%A 张兴
%A 王阳元
%A 林成鲁
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 利用ＴＥＭ、ＡＥＳ、ＸＰＳ技术分析研究了不同退火气氛对ＳＩＭＯＸ材料的影响．结果表明，在注入能量和剂量以及退火温度和时间都相同的条件下，在Ａｒ＋０．５％Ｏ２中退火，可以获得光滑平整的Ｓｉ／ＳｉＯ２界面，而在纯Ｎ２气氛中退火，Ｓｉ／ＳｉＯ２界面极不平整，且界面附近晶体质量较差．本文分析了造成这种结果的原因．
%K SIMOX材料
%K 硅
%K 二氧化硅
%K 退火
%K 界面
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E1229073DC19381012511C71&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=708DD6B15D2464E8&eid=23CCDDCD68FFCC2F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=1