%0 Journal Article
%T (GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金材料的电子结构及其基态性质
%A 段文晖
%A 顾秉林
%A 朱嘉麟
%J 半导体学报
%D 1992
%I 
%X 本文根据闪锌矿-金刚石结构的有序-无序相变模型,引入序参量M,在改进的虚晶格近似下,利用从第一性原理出发的自治LMTO-ASA方法,研究了(GaAs)_(1-x)Ge_(2x)半导体合金的电子结构和基态性质.计算结果与现有的非自治计算结果和实验结果进行了比较.计算表明,合金材料中轻、重空穴有效质量依赖于合金的有序度.计算也表明合金材料的晶格常数和体弹性模量将随组份x变化而呈现类似“V”形变化.这都说明,在有序和无序的组份区域,合金性质随组份的变化规律是不同的,应分区描述.
%K 半导体
%K 合金材料
%K 电子结构
%K 金刚石
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=3529BF668140398B34FD8DB002FBB63C&yid=F53A2717BDB04D52&vid=FC0714F8D2EB605D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=381FB4265090A8E0&eid=EF78DD85C21CB57F&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2