%0 Journal Article
%T Low Loss Microwave MEMS Coplanar Waveguides on Low-Resistivity Silicon<br>低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现
%A Shi Yanling
%A Xin Peisheng
%A Shao Li
%A You Shuzhen
%A Zhu Ziqiang
%A Lai Zongsheng
%A <br>石艳玲
%A 忻佩胜
%A 邵丽
%A 游淑珍
%A 朱自强
%A 赖宗声
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较.采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线,并通过关键的混合腐蚀技术制备了50Ω和1 2 0Ω两种特性阻抗的传输线.由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善.实验中,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了1GHz到40GHz频段的参数测试,利用多线分析技术对测试结果进行了分析.结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低
%K coplanar waveguide
%K low-resistivity silicon(LR-Si) substrate
%K MEMS
%K insert loss<br>共平面波导
%K 低阻硅衬底
%K 微机械加工技术
%K 插入损耗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F8518AADC6BED1B2&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=5C16CF56EB56D002&eid=EAA944F99AA73B33&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=6