%0 Journal Article
%T Rutherford Backscattering／Channeling and Photoluminescence of InGaN Films Grown by MOCVD<br>MOCVD生长的InGaN薄膜的离子束背散射沟道及其光致发光
%A LI Shu-ti
%A JIANG Feng-yi
%A PENG Xue-xin
%A WANG Li
%A XIONG Chuan-bing
%A LI Peng
%A MO Chun-lan
%A <br>李述体
%A 江风益
%A 彭学新
%A 王立
%A 熊传兵
%A 李鹏
%A 莫春兰
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 采用 MOCVD技术以 Al2 O3为衬底在 Ga N膜上生长了 In Ga N薄膜 .以卢瑟福背散射 /沟道 (RBS/Channeling)技术和光致发光 (PL )技术对 Inx Ga1 - x N / Ga N / Al2 O3样品进行了测试 ,获得了合金层的组分、厚度、元素随深度分布、结晶品质及发光性能等信息 .研究表明生长温度和 TMIn/ TEGa比对 In Ga N薄膜的 In组分和生长速率影响很大 .在一定范围内 ,降低 TMIn/ TEGa比 ,In Ga N膜的生长速率增大 ,合金的 In组分反而提高 .降低生长温度 ,In Ga N膜的 In组分提高 ,但生长速率基本不变 . In Ga N薄膜的结晶品质随 In组分的增大而显著下降 ,In Ga N薄膜
%K MOCVD
%K InGaN
%K Rutherford backscattering and channeling measurements
%K photoluminescence<br>MOCVD
%K InGaN
%K 卢瑟福背散射/沟道技术
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=60620D193B20DF93&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=94C357A881DFC066&sid=1A0C7C60D40EFD74&eid=C7B13290323C226E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=10