%0 Journal Article
%T 适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究
%A 黄如
%A 张兴
%A 李映雪
%A 王阳元
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJT约高1．7倍的驱动能力，最高电流增益可达10000，最小亚阈摆幅可达66mV／dec，导通电压比纯BJT约低0．3V，比纯MOSFET约低0．7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性．因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力，同时也将适于模拟电路方面的应用．
%K SOI
%K GCHT
%K 厚膜电路
%K 实验
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=EE46C163B989B55D&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=708DD6B15D2464E8&sid=466EAEA150F7AE77&eid=E9F71A2A3584AD5D&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=2