%0 Journal Article
%T Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究
%A 靳彩霞
%A 凌震
%A 王东红
%A 俞根才
%A 王杰
%A 黄大鸣
%A 侯晓远
%A 沈孝良
%A 姚文华
%J 半导体学报
%D 1997
%I 
%X 用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数．此时，在（100）平面内，ZnSe阱层受到张应变，而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变，从而，导致其喇曼光谱中，ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动．当超晶格总厚度小于其临界厚度时，超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数，此时，ZnSe阶层不再受到应变，而Zn1－xMn
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=79CAADE62039EE08&yid=5370399DC954B911&vid=13553B2D12F347E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=421C41B8FD4D3EBA&eid=E4BEEBB9A80BC67E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0