%0 Journal Article
%T N~+型重掺杂硅快速氧化新方法──氟化氢增强氧化之二
%A 徐强
%A 徐元森
%A 龙伟
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文对重掺杂单晶硅和多晶硅薄膜的加HF增强氧化的行为进行了研究。氧气中HF含量为480ppm,温度为750至900℃。发现重掺磷或砷的硅的氧化反应速率很快,速率常数比轻掺杂硅的干氧氧化提高了几十倍至几百倍。而重掺硼的硅单晶对氧化速率并无明显影响。文中对重掺杂元素和HF增强硅氧化的机理作了分析,并提出了一个物理模型,可以较好地解释实验现象。
%K 重掺杂
%K 硅氧化
%K 氟化氢
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=8B386B0A18766F38B98EE9007C403EFE&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=6CDD207A90CE1EEC&eid=703F3C1B6594BA64&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0