%0 Journal Article
%T Study of N~+ Implanted SOI by Energy Filtered Imaging<br>利用能量过滤成像技术对注氮SOI的研究
%A Duan Xiaofeng/Beijing Laboratory of Electron Microscopy
%A Academia Sinica
%A P O Box
%A Beijing
%A China Du Anyan/Beijing Laboratory of Electron Microscopy
%A Academia Sinica
%A P O Box
%A Beijing
%A China Chu Yiming/Institute of Semiconductors
%A Academia Sinica
%A Beijing
%A China
%A <br>段晓峰
%A 都安彦
%A 褚一鸣
%J 半导体学报
%D 1990
%I 
%X 本文报道了利用能量过滤成像技术对注氮SOI结构的研究。能量选择狭缝分别置于△E=16eV和△E=25eV,对应于Si和Si_3N_4的等离子能量损失的非弹性散射,电子显微照片可以给出更多的结构信息。顶层单晶硅和上氮化硅层之间的过渡层可以明显地划分成两个亚层:氮化硅亚层和硅亚层。从衬底的〈111〉衍射束成的暗场像看出硅亚层的晶粒取向与顶层单晶硅的取向是不同的,这说明硅亚层中的硅晶粒的形成与长大与顶层单晶硅的形成无关。
%K N~+ implanted SOI strueture
%K Transmission Electron Microscopy(TEM)
%K Electron Energy Loss Spectroscopy (EELS)
%K Electron energy filtered imaging<br>注氮
%K SOI
%K 电子能量
%K 过滤成像
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=CD89A1ADCBE2DEDB72A5C8BB7B43AFCC&yid=8D39DA2CB9F38FD0&vid=708DD6B15D2464E8&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=2A22E972FD97071B&eid=99A964928ADB4E67&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0