%0 Journal Article
%T Surface Structure and 1.54μm Light Emission of Silicon Plus Erbium Dual-Implanted Thermal SiO2/Si Thin Film<br>(Si,Er)双注入热氧化SiO_2/Si薄膜的表面结构及1.54μm光发射
%A XU Fei
%A XIAO Zhi song
%A CHENG Guo an
%A YI Zhong zhen
%A ZENG Yu xin
%A ZHANG Tong he
%A GU Lan lan
%A <br>徐飞
%A 肖志松
%A 程国安
%A 易仲珍
%A 曾宇昕
%A 张通和
%A 顾岚岚
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 利用金属蒸气真空弧 (MEVVA)离子源将 Si和 Er离子双注入到不同厚度热氧化 Si O2 / Si薄膜中获得 Er掺杂硅基发光薄膜 .掺杂到热氧化 Si O2 / Si薄膜表面的 Er原子浓度可达到～ 10 % ,即体浓度～ 10 2 1 cm- 3 .热氧化 Si O2膜越厚 ,溅射后 Si O2 保留量越多 ;再结晶硅颗粒结晶程度提高 ,逐渐纳米化 ;未见有大量的 Er偏析或铒硅化物形成 ,Er大部分以固溶形式存在 .在 77K下获得了较强 1.5 4μm光致发光信号 ,室温下发光强度温度猝灭不明显
%K MEVVA ion source
%K dual
%K implantation
%K erbium
%K doped silicon
%K photoluminescence<br>MEVVA离子源
%K 双注入
%K 掺铒硅
%K 光致发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=F05956587DB9C9A8&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=A35E3FD659BF2630&eid=08DDB398556FE547&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=15