%0 Journal Article
%T 固相外延CoSi_2薄膜作为扩散源形成n~＋p浅结技术研究
%A 房华
%A 李炳宗
%A 吴卫军
%A 邵凯
%A 姜国宝
%A 顾志光
%A 黄维宁
%A 刘平
%A 周祖尧
%A 朱剑豪
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 通过Ａｓ＋离子注入到由ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层结构因相反应得到的外延ＣｏＳｉ２层中，利用外延硅化物作为扩散源（ＥＳＡＤＳ），形成了０．１μｍ的浅ｎ＋ｐ结．研究了Ｃｏｓｉ２外延薄膜离子注入非晶化后的再结晶特性、注入杂质退火时的再分布特性和形成的ｎ＋ｐ浅结特性．实验结果表明：外延ＣｏＳｉ２层在非晶化后能有效地再结晶；Ａｓ原子在多晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构和单晶ＣｏＳｉ２／Ｓｉ结构中有着不同的再分布特性；同相应的以多晶ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结相比，以外延ＣｏＳｉ２作为扩散源形成的结反向漏电小１～２个数量级，
%K CoSi薄膜
%K 固相外延生长
%K n＋p结
%K 半导体材料
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9F0DF084E122907373454AA03D6D390E&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=E158A972A605785F&sid=407C905D8F0449C4&eid=7737D2F848706113&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=6