%0 Journal Article
%T Effects of DBR on Properties of Semiconductor Microcavity<br>分布布拉格反射器(DBR)对半导体微腔一些特性的影响
%A LIU Bao li
%A WAGN Bing shen
%A XU Zhong ying
%A <br>刘宝利
%A 王炳燊
%A 徐仲英
%J 半导体学报
%D 2001
%I 
%X 从光学传输矩阵方法出发 ,研究了分布布拉格反射器 (DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响 ;同时指出了 DBR对于λ0 / 2和λ0 腔不同情况的最佳生长模式
%K semiconductor planar microcavity
%K transfer matrix<br>半导体平面微腔
%K 光学传输矩阵
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=19261EA1C1364814&yid=14E7EF987E4155E6&vid=BC12EA701C895178&iid=38B194292C032A66&sid=B66C5792F4740920&eid=5A6705FDACED0BF9&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=7