%0 Journal Article
%T RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜的电学性质
%A 江若琏
%A 郑有炓
%A 马金中
%A 冯德伸
%A 江宁
%A 张荣
%A 胡立群
%A 李学宁
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文对低温外延新技术——“快速辐射加热、超低压化学气相淀积”(RRH/VLP-CVD)生长的外延硅薄膜的电学性质进行了分析研究.扩展电阻分析显示了外延层杂质浓度分布均匀,与衬底间的界面区杂质分布陡峭.在外延层上制备了霍耳样品、PN结二极管和Al-SiO_2-SiMOS结构,经测量分析所得各项重要数据与优质硅单晶所制的样品相一致.实验结果表明RRH/VLP-CVD低温外延硅薄膜具有良好的电学性质,已可用于器件的制备.
%K 硅薄膜
%K 外延生长
%K 化学汽相淀积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B121244CE28DE71F1D407&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=BE5DBC360CD4FFB9&eid=036D726259190A01&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=4