%0 Journal Article
%T Ⅲ-Ⅴ族化合物中DX中心的新理论
%A 薛舫时
%J 半导体学报
%D 1991
%I 
%X 本文提出了一种新的多能谷有效质量杂质电子态理论.它用导带中的Γ、X和L三个能谷的有效质量包络函数来描述杂质电子波函数,从而得出了杂质态的能谷属性.用此理论计算了GaAs_(1-x)P_x中Si施主的束缚能级和谐振能级.得到了Γ、L和Γ-L混和态三种能级,这些能级随组分比变化的关系同DX 中心的实验结果相吻合.在此基础上对DX 中心的一些实验现象给出了新的解释.
%K 化合物半导体
%K DX中心
%K 理论
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=9687A7AB570B121214A0BEFDC70FED57&yid=116CB34717B0B183&vid=59906B3B2830C2C5&iid=5D311CA918CA9A03&sid=FB36B1C076A263FA&eid=E0172F1A638CE984&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=2