%0 Journal Article
%T Raman Scattering of GaP1-xNx Alloys<br>GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱
%A 高玉琳
%A 吕毅军
%A 郑健生
%A 张勇
%A Mascarenhas A
%A 辛火平
%A 杜武青
%J 半导体学报
%D 2003
%I 
%X 在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品
%K GaP_
%K 1- x N_ x
%K Raman scattering
%K alloy<br>GaP1-xNx
%K 喇曼散射
%K 混晶
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=B4E57E0EAD7D24EF&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=B91E8C6D6FE990DB&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=C4B91B15F1F73E7E&eid=E5ED9059DE792E50&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=17