%0 Journal Article
%T Investigation on Mechanism of Oxidized Au/Ni/p-GaN Ohmic Contact<br>氧化Au/Ni/p-GaN欧姆接触形成的机理
%A HU Chengyu
%A QIN Zhixin
%A Feng Zhenxing
%A Chen Zhizhong
%A Yang Hua
%A Yang Zhijian
%A Yu Tongjun
%A Hu Xiaodong
%A YAO Shude
%A ZHANG Guoyi
%A <br>胡成余
%A 秦志新
%A 冯振兴
%A 陈志忠
%A 杨华
%A 杨志坚
%A 于彤军
%A 胡晓东
%A 姚淑德
%A 张国义
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 用卢瑟福背散射（RBS）和同步辐射X射线衍射（XRD）研究了p-GaN上的Ni/Au电极在空气下不同温度合金后的微结构的演化，并揭示这种接触结构的欧姆接触形成机制．研究不同温度下比接触电阻(ρc)的变化，发现从450℃开始Au扩散到GaN的表面在p-GaN上形成外延结构以及O向电极内部扩散反应生成NiO对降低ρc起到了关键的作用．在500℃时，Au的外延结构进一步改善，O进一步向样品内部扩散生成NiO,ρc也达到了最低值．但当合金温度升高到600℃时，金属-半导体界面NiO的大部分或全部向外扩散，从而脱离与p-GaN的接触，使ρc显著升高．
%K p-GaN
%K Ni/Au
%K specific contact resistance
%K synchrotron XRD
%K RBS<br>p型氮化镓
%K 镍/金
%K 比接触电阻
%K 同步辐射
%K 卢瑟福背散射
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=34B5447D0837F3F7&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=B8D8B337883846D1&eid=E2D70FDCD65737D1&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=1&reference_num=11