%0 Journal Article
%T Annealing Behavior of SGOI Thin Films Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy<br>GSMBE外延生长SGOI材料的退火行为
%A Liu Chao
%A Gao Xingguo
%A Li Jianping
%A Zeng Yiping
%A Li Jinmin
%A <br>刘超
%A 高兴国
%A 李建平
%A 曾一平
%A 李晋闽
%J 半导体学报
%D 2005
%I 
%X 在SIMOX SOI超薄硅衬底上外延生长了高质量SiGe合金薄膜来制备SGOI(SiGe on insulator)样品，并研究了其在1050℃氧化气氛中的高温退火行为．用Raman，DCXRD，RBS和光学显微镜等分析手段对SGOI样品在退火前后的性能进行了表征．分析结果表明：SGOI样品表面的穿透位错密度约为5e５ｃｍ－２；高温退火处理可以促进SGOI样品中异质外延生长SiGe合金薄膜的弛豫化和超薄Si夹层向SiGe合金薄膜的转化，进一步提高SiGe薄膜的晶体质量，并且有助于获得高Ge组分的SGOI材料．
%K MBE
%K SGOI
%K annealing behavior<br>MBE
%K 绝缘体上硅锗
%K 退火行为
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=4A4BFC308CC4D76C&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=96C778EE049EE47D&iid=B31275AF3241DB2D&sid=1529CB0C2A6A7E90&eid=09D7E2FA8227CA7B&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=12