%0 Journal Article
%T 偏心Bridgman－Hg_（1－x）Cd_xTe晶体生长S－L界面形状的数值模拟
%A 王培林
%A 邓开举
%A 张国艳
%A 周士仁
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 用三维数值模拟方法研究了偏心Ｂｒｉｄｇｍａｎ－Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体生长系统Ｓ－Ｌ界面附近的温度分布．考察了偏心程度、安瓿与炉膛直径相对大小以及炉膛温度分布等对倾斜Ｓ－Ｌ界面的影响情况．结果表明，偏心温度场可提高晶片上一较大区域内的横向组分均匀性．ψ＝０、π面上的等温线分布可作为确定切片倾角的依据
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=089194D0812A1FDB&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=7801E6FC5AE9020C&eid=A04140E723CB732E&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=0&reference_num=0