%0 Journal Article
%T 在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge／Si超晶格
%A 盛篪
%A 周铁城
%A 龚大卫
%A 樊永良
%A 王建宝
%A 张翔九
%A 王迅
%J 半导体学报
%D 1996
%I 
%X 利用Ｇｅ的三维生长特性和迅速弛豫，在Ｓｉ衬底上形成有一定高度的岛状Ｇｅ层，继续生长不到２００ｎｍＳｉＧｅ合金就可获得较高质量的缓冲层．这种很薄的缓冲层已用于生长Ｇｅ／Ｓｉ短周期超晶格．超晶格的优良性能表明Ｇｅ岛技术是生长配晶体的有效方法．薄的外延厚度和低的工艺温度与集成电路工艺是完全相容的．
%K 元素半导体
%K 锗
%K SiGe合金
%K 硅
%K 超晶格
%K 外延生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=5B3AB970F71A803DEACDC0559115BFCF0A068CD97DD29835&cid=1319827C0C74AAE8D654BEA21B7F54D3&jid=025C8057C4D37C4BA0041DC7DE7C758F&aid=5DD5F5BFA9F5EB73&yid=8A15F8B0AA0E5323&vid=BCA2697F357F2001&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=CA4FD0336C81A37A&eid=94C357A881DFC066&journal_id=1674-4926&journal_name=半导体学报&referenced_num=3&reference_num=2